半导体发光元件

摘要

本发明系一种半导体发光元件，系令一半导体发光元件具有一由δ-掺杂层构成之电极接触层，利用该δ-掺杂层具有较高的掺杂浓度及较薄的膜层厚度之特性，使一半导体发光元件展现较高的扩散电流能力、降低光再吸收率与降低电极接触电阻，进而提升光取出率与高效率等多元特性，可直接应用于高亮度半导体发光元件的制造。