发明名称 | 用于局部屏蔽MR超导磁线圈的方法和装置 | ||
摘要 | 一种用于局部分等级屏蔽的方法和装置,其包括梯度屏蔽环(75),该梯度屏蔽环具有定位于接近超导磁线圈(70,72)的多个弧(92,94,110,112,116,118,136,138,154,156,164,166,170,172,182,184)。该多个弧(92,94,110,112,116,118,136,138,154,156,164,166,170,172,182,184)与由磁场梯度产生的梯度磁场磁耦合,以便局部屏蔽该超导磁线圈(70,72)。 | ||
申请公布号 | CN101093248A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
申请号 | CN200710126220.9 | 申请日期 | 2007.06.22 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | 黄先锐 |
分类号 | G01R33/42(2006.01) | 主分类号 | G01R33/42(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;张志醒 |
主权项 | 1.一种屏蔽线圈装置,包括:构成封闭的传导路径并且具有定位于沿着MR系统(10)的第一超导磁线圈(70)的部分的多个弧(92,94,110,112,116,118,136,138,154,156,164,166,170,172,182,184)的超导线(75),该多个弧(92,94,110,112,116,118,136,138,154,156,164,166,170,172,182,184)配置为与由第一方向的磁场梯度(Gx,Gy,Gz)产生的梯度磁场磁耦合,以便局部屏蔽第一超导磁线圈(70)。 | ||
地址 | 美国纽约州 |