| 发明名称 | 场效应型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种场效应型晶体管及其制造方法，可以降低源·漏的寄生电阻，抑制短沟道效应且降低泄露电流。该场效应型晶体管，包括：构成沟道区的第一半导体区；在上述第一半导体区上夹着栅绝缘膜形成的栅电极；对应于上述栅电极，在上述第一半导体区的两侧形成的源·漏电极；以及在上述第一半导体区和上述源·漏电极之间分别形成的、杂质浓度比上述第一半导体区高的第二半导体区，且上述第二半导体区的与上述沟道区相接的部分，在无电压施加的状态下在整个沟道长度方向上被耗尽化。沟道长度方向上的厚度小于等于10nm，且形成为比由杂质浓度决定的耗尽层宽度更薄。 | ||
| 申请公布号 | CN101093857A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200710127334.5 | 申请日期 | 2004.09.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 木下敦宽;古贺淳二 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种场效应型晶体管，其特征在于包括：构成沟道区的第一半导体区；在上述第一半导体区上夹着栅绝缘膜形成的栅电极；以及对应于上述栅电极，在上述第一半导体区的两侧形成的金属源·漏电极，其中，上述金属源·漏电极具有比上述沟道区的杂质浓度高的杂质浓度，且上述金属源·漏电极在与上述沟道区的界面或界面附近处具有杂质浓度的峰值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||