| 发明名称 | 具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法，其中构成部分电子电路的多个器件图案形成在衬底的表面上。在与器件图案同一层中形成用作识别标记的符号图案。器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内。符号图案由隔离的多个要素图案形成。要素图案是线性图案或者点图案。要素图案的宽度大于等于图案宽度范围的下限值的0.8倍，小于等于图案宽度范围的上限值的1.2倍。 | ||
| 申请公布号 | CN101093830A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200710104101.3 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 吉田臣希;牛田文雄;直理修久;尾崎康孝 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/544(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：多个器件图案，形成在衬底表面上，构成部分电子电路；以及符号图案，形成在与所述器件图案同一层中，将要用作识别标记；其中，所述器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内，所述符号图案由隔离的多个要素图案形成，所述要素图案是线性图案或者点图案，并且所述要素图案的宽度大于等于所述设计规则的图案宽度范围的下限值的0.8倍，且小于等于所述设计规则的图案宽度范围的上限值的1.2倍。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||