| 主权项 |
1.一种保护带之黏贴、剥离方法,系在形成有图案 之半导体晶圆的表面上黏贴保护带及将此保护带 由半导体晶圆的表面剥离,而该方法系包含以下的 过程: 黏贴工程,上侧黏着力强的保护带系陆续到来般地 把该半导体晶圆之表面的复数片保护带予以多重 地黏贴; 剥离工程,在多重黏贴的保护带之上黏贴剥离带, 透过此剥离带而自该半导体晶圆表面使多重的保 护带成一体地一次剥离。 2.如申请专利范围第1项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重之保护带系,以预先多重黏贴2片保 护带者为单位黏贴在半导体晶圆的表面。 3.如申请专利范围第2项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重黏贴的保护带中,至少上侧的保护 带为紫外线硬化型保护带。 4.如申请专利范围第3项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中于该半导体晶圆表面多重地黏贴保护带之 后再照射紫外线。 5.如申请专利范围第2项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,下侧为紫外线硬化型 保护带,系在要自该半导体晶圆剥离保护带之前照 射紫外线。 6.如申请专利范围第2项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,上侧为非紫外线硬化 型保护带。 7.如申请专利范围第2项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,下侧为非紫外线硬化 型保护带。 8.如申请专利范围第2项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重黏贴的保护带之中,下侧之保护带 的表面为粗面。 9.如申请专利范围第1项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带系个别反覆地黏贴2片保 护带。 10.如申请专利范围第9项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重黏贴的保护带中,至少上侧之保护 带为紫外线硬化型保护带。 11.如申请专利范围第10项之保护带之黏贴、剥离 方法,其中于该半导体晶圆的表面多重地黏贴保护 带之后系照射紫外线。 12.如申请专利范围第10项之保护带之黏贴、剥离 方法,其中在该半导体晶圆表面黏贴保护带之前的 供给过程中,系把保护带彼此予以多重地黏贴且照 射紫外线。 13.如申请专利范围第9项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,下侧为紫外线硬化型 保护带,且自该半导体晶圆将保护带剥离前系照射 紫外线。 14.如申请专利范围第9项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,上侧为非紫外线硬化 型保护带。 15.如申请专利范围第9项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重的保护带中,下侧为非紫外线硬化 型保护带。 16.如申请专利范围第9项之保护带之黏贴、剥离方 法,其中该多重黏贴的保护带中,下侧之保护带的 表面为粗面。 图式简单说明: 第1图系有关第1实施例之带黏贴装置之概略构成 之前视图, 第2图系说明带黏贴工程之概略前视图, 第3图系说明带黏贴工程之概略前视图, 第4图系说明带黏贴工程之概略前视图, 第5图系被多重黏贴有保护带之晶圆的纵断面图, 第6图系对晶圆照射紫外线之动作说明图, 第7图系表示带剥离装置之概略构成的前视图, 第8图系说明带剥离工程之概略前视图, 第9图系说明带剥离工程之概略前视图, 第10图系说明带剥离工程之概略前视图, 第11图系表示第2实施例之带黏贴装置的概略构成 之前视图。 |
