| 主权项 |
1.一种相位移式光罩,包含有: 一透光基板; 复数行第一相位移线条图案,各该第一相位移线条 图案具有一第一基板厚度,且沿一第一方向形成在 该透光基板上,各该第一相位移线条图案上皆分布 有复数个不透光图案,且在两个相邻的该不透光图 案之间为一第一相位移透光区域;以及 复数行第二相位移线条图案,该等第二相位移线条 图案系形成在该透光基板上,且与该等第一相位移 线条图案相互交替平行排列,各该第二相位移线条 图案系完全透光且具有一第二基板厚度。 2.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该第一相位移线条图案与该第二相位移线条图案 具有相同线宽。 3.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该复数个不透光图案大小相等。 4.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该复数个不透光图案系等距分布在该第一相位移 线条图案上。 5.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该复数行第一相位移线条图案中的单数行上的该 不透光的铬图案彼此在第二方向上呈对准直线排 列,而偶数行上的该不透光的铬图案彼此在第二方 向上呈对准直线排列,其中该第一方向与该第二方 向为正交。 6.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该不透光的铬图案在该第一方向的长度介于/4 与3/4之间,其中代表曝光光源之波长。 7.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该第一相位移透光区域在该第一方向的长度介于 /4与3/4之间,其中代表曝光光源之波长。 8.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该第一基板厚度大于该第二基板厚度,使光线通过 该第一相位移透光区域与通过该第二相位移线条 图案的相位差为180度。 9.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其中 该透光基板为石英基板。 10.如申请专利范围第1项所述之相位移式光罩,其 中相邻之该等第一相位移线条图案上的该不透光 图案间,系沿着该第一方向具有一预定距离。 11.一种相位移式光罩,包含有: 一透光基板; 一形成在该透光基板上的第一相位移线条图案,具 有一第一基板厚度,该第一相位移线条图案上分布 有复数个不透光图案,且在两个相邻的该不透光图 案之间为一第一相位移透光区域;以及 一形成在该透光基板上,与该第一相位移线条图案 平行配置的第二相位移线条图案,该第二相位移线 条图案上完全透光且具有一第二基板厚度。 12.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该第一相位移线条图案与该第二相位移线条图 案具有相同线宽。 13.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该复数个不透光图案大小相等。 14.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该复数个不透光图案系等距分布在该第一相位 移线条图案上。 15.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该不透光图案的长度介于/4与3/4之间,其中 代表曝光光源之波长。 16.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该第一相位移透光区域的长度介于/4与3/4 之间,其中代表曝光光源之波长。 17.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该第一基板厚度大于该第二基板厚度,使光线通 过该第一相位移透光区域与通过该复数条第二相 位移线条图案的相位差为180度。 18.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该透光基板为石英基板。 19.如申请专利范围第11项所述之相位移式光罩,其 中该不透光图案为铬膜。 图式简单说明: 第1图绘示的是习知交替式相位移式光罩的剖面结 构示意图。 第2图绘示的是习知无铬膜相位移式光罩之剖面结 构示意图。 第3图绘示的是动态随机存取记忆体元件的字元线 布局。 第4图绘示的是本发明第一实施例之相位移式光罩 的部分布局示意图。 第5图绘示的是沿着第4图中的切线I-I所视的剖面 示意图。 第6图绘示的是沿着第4图中的切线II-II所视的剖面 示意图。 第7图则是经由第4图中的相位移式光罩经由曝光 转移至光阻上的结果图案。 第8图显示的是第7图中的密集线条图案202a及202b的 关键尺寸均匀度。 第9图绘示的是本发明第二实施例之相位移式光罩 的部分布局示意图。 第10图绘示的是沿着第9图中的切线III-III所视的剖 面示意图。 第11图绘示的是沿着第9图中的切线IV-IV所视的剖 面示意图。 第12图则是经由第9图中的相位移式光罩经由曝光 转移至光阻上的结果图案。 第13图显示的是第12图中的密集线条图案302a及302b 的关键尺寸均匀度。 |
