| 发明名称 | 电子器件及其形成工艺 | ||
| 摘要 | 一种电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构。在沿着该矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上，该第一位置上的第一高度基本上彼此相等。该电子器件也包括线形的有机层，该有机层至少部分地位于沿着第一矢量的开口内、并且覆盖在处于沿着第一矢量的开口之间位置上的结构之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101091265A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200580045259.7 | 申请日期 | 2005.12.29 |
| 申请人 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 发明人 | C·D·麦克费森;D·D·沃克;M·斯坦纳 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01);H05B33/02(2006.01);H05B33/12(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，包括：衬底；覆盖于所述衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构，在沿着所述矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上，所述第一位置上的第一高度基本上彼此相等；以及具有第一线形几何形状的有机层，它至少部分地位于沿着所述第一矢量的所述开口内、并且覆盖在处于沿着所述第一矢量的所述开口之间位置上的所述结构之上。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||