发明名称 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途
摘要 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途,涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长,生长条件为:生长温度1410℃,晶体转速15~20转/分钟,拉速1.5~3毫米/小时。该晶体属于立方晶系,空间群为Fm3m,单胞参数为a=8.059,Z=4,单胞体积为V=523.41<SUP>3</SUP>。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1.06μm左右波长的激光输出,并有望获得实际应用。
申请公布号 CN101089242A 申请公布日期 2007.12.19
申请号 CN200610091468.1 申请日期 2006.06.13
申请人 中国科学院福建物质结构研究所 发明人 王国富;赵丹;林州斌;张莉珍
分类号 C30B29/32(2006.01);C30B15/00(2006.01);H01S3/16(2006.01) 主分类号 C30B29/32(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种掺钕钨酸锂镧钡激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd3+:BaLaLiWO6,属于立方晶系,空间群为Fm3m,单胞参数:a=8.059,Z=4,V=523.413,Nd3+离子掺杂浓度在0.5at-15at%之间。
地址 350002福建省福州市杨桥西路155号