发明名称 |
周期分极反转结构的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种变换效率高、制造成品率提高的周期分极反转结构的制造方法。所述方法用于在单畴化的二次非线性光学结晶(31)中制造周期分极反转结构,包括以下工序:在二次非线性光学结晶(31)的-Z面形成与分极反转周期一致的抗蚀图形(32);以及将制造有抗蚀图形(32)的-Z面作为负电压、+Z面作为正电压来施加电压以在二次非线性光学结晶(31)中形成电场,其中,二次非线性光学结晶(31)含有弥补结晶缺陷的至少一种元素作为添加物。 |
申请公布号 |
CN101091136A |
申请公布日期 |
2007.12.19 |
申请号 |
CN200680001609.4 |
申请日期 |
2006.03.17 |
申请人 |
日本电信电话株式会社;NTT电子股份有限公司 |
发明人 |
铃木博之;遊部雅生;梅木毅伺;西田好毅;忠永修;柳川勉;曲克明;马渡宏泰;宫泽弘;汤本润司 |
分类号 |
G02F1/37(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/37(2006.01) |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余朦;方挺 |
主权项 |
1.周期分极反转结构的制造方法,所述方法用于在单畴化的二次非线性光学结晶中制造周期分极反转结构,其特征在于,包括以下工序:在所述二次非线性光学结晶的-Z面形成与所述分极反转周期一致的抗蚀图形;将制造有所述抗蚀图形的-Z面作为负电压、+Z面作为正电压来施加电压以在所述二次非线性光学结晶中形成电场,所述二次非线性光学结晶含有弥补结晶缺陷的至少一种元素作为添加物。 |
地址 |
日本东京 |