发明名称 多坩埚下降法晶体生长系统
摘要 本实用新型公开了一种多坩埚下降法晶体生长系统,它包括:晶体炉、坩埚及其支撑装置,其中晶体炉包括炉体,炉膛和发热体;坩埚支撑装置包括升降台,位于升降台上的坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管,与升降台连接的引下装置,与引下装置连接的升降电机和电源,其中导向管支架和导向管之间设置有紧固装置,坩埚置于坩埚导向管内;其中的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置。采用本实用新型可以有效提高生长晶体的质量,而且可以生长出高质量的掺杂晶体,同时还能够生长获得现有多坩埚下降生长技术很难获得的圆形晶体。
申请公布号 CN200992592Y 申请公布日期 2007.12.19
申请号 CN200620162409.4 申请日期 2006.12.29
申请人 万尤宝 发明人 万尤宝
分类号 C30B11/00(2006.01) 主分类号 C30B11/00(2006.01)
代理机构 上海开祺知识产权代理有限公司 代理人 季良赳;杨润周
主权项 1、一种多坩埚下降法晶体生长系统,包括:晶体炉,坩埚及其支撑装置,其中晶体炉包括炉体,炉膛和发热体;坩埚支撑装置包括升降台,位于升降台上的坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管,与升降台连接的引下装置,与引下装置连接的升降电机和电源,其中导向管支架和导向管之间设置有紧固装置,坩埚置于坩埚导向管内;其特征在于:所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置,每个导向管支架的下端设置有旋转轴,旋转轴贯穿升降台,旋转轴下端伸出升降台的部分分别连接有互相啮合的齿轮,其中一个旋转轴比其它旋转轴长,该较长旋转轴上的齿轮通过联轴器连接—固定在升降台上的旋转电机;
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