用于半导体装置之制造方法

摘要

本发明揭示一种用于半导体装置之制造方法，其包括以下步骤：在一形成于一基板上之层间绝缘薄膜上形成一含铜之导电层以使该含铜之导电层之表面曝露；在该导电层之该表面上执行热处理，其使用一主要由氢组成之还原气体；在该导电层之该表面上执行电浆处理，其使用一还原气体，从而允许该导电层之该表面还原，并使该热处理所吸收之氢获得释放；及形成一覆盖该导电层之该表面的抗氧化薄膜，以使得该导电层之该表面在该电浆处理后不会曝露于一含氧之大气气体中。