发明名称 | 钨系膜之成膜方法、闸极电极之形成方法、半导体装置之制造方法及电脑可读取之记忆媒体 | ||
摘要 | 钨系膜之成膜方法,系具有以下几点:在处理室内配置基板;和交互重复进行对处理室导入W(CO)6气体所造成之钨堆积,与导入含矽气体所造成之钨的矽化或矽堆积来成膜WSi膜;和在W(CO)6气体之供给与含矽气体之供给之间,净化处理室。 | ||
申请公布号 | TW200746310 | 申请公布日期 | 2007.12.16 |
申请号 | TW095129227 | 申请日期 | 2006.08.09 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 山崎英亮 |
分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |