发明名称 钨系膜之成膜方法、闸极电极之形成方法、半导体装置之制造方法及电脑可读取之记忆媒体
摘要 钨系膜之成膜方法,系具有以下几点:在处理室内配置基板;和交互重复进行对处理室导入W(CO)6气体所造成之钨堆积,与导入含矽气体所造成之钨的矽化或矽堆积来成膜WSi膜;和在W(CO)6气体之供给与含矽气体之供给之间,净化处理室。
申请公布号 TW200746310 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW095129227 申请日期 2006.08.09
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 山崎英亮
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本