虚拟本体接触之三闸极

摘要

一种场效电晶体(FET)及形成场效电晶体的方法，包含：一基板；一矽锗(Site)层于基板之上；一半导体层于矽锗层之上且邻近矽锗层；一绝缘层邻近基板、矽锗层、及半导体层；一第一闸极结构对邻近绝缘层；以及一第二闸极结构于绝缘层之上。较佳地，绝缘层邻近矽锗层之一侧表面及半导体层之一上表面、半导体层之一较低表面、及半导体层之一侧表面。较佳地，矽锗层包含碳。较佳地，第一闸极结构对实质上横切第二闸极结构。此外，第一闸极结构对较佳系由绝缘层所囊封。