| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路，包括NMOS管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开启电压以及零开启电压MOS管测量时保护二极管被开启而不能完整地测量MOS管的电流－电压特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101083264A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200610027257.1 | 申请日期 | 2006.06.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 苏鼎杰;黄威森;萧金燕 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路，包括NMOS管及保护二极管，其特征在于所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和NMOS管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||