SOI晶圆上的半导体组件的制造方法

摘要

一种防止在绝缘层上覆硅(silicon on insulator，SOI)晶圆的有源区侧壁下方形成底切(undercut)的方法。先在已定义的有源区域上沉积一层绝缘层，然后蚀刻此绝缘层，使其在有源区的侧壁形成间隙壁。并选择执行或不执行退火步骤以致密化此绝缘层。

主权项

1、一种SOI晶圆上的半导体组件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包括以下步骤：提供一SOI晶圆，其中该SOI晶圆由下至上至少依序包含一衬底、一深埋绝缘层与一外延层；图案化该外延层以形成若干个有源区，并暴露出位于该外延层下的该深埋绝缘层；形成一第一绝缘层覆盖在这些有源区与该深埋绝缘层的暴露面上；以及各向异性蚀刻该第一绝缘层，以在这些有源区的侧壁上形成至少一第一绝缘间隙壁，以避免后续湿式蚀刻或湿式清洗步骤因侧向蚀刻而在这些有源区下方形成底切缺口；与该第一绝缘间隙壁形成后，形成多个形成若干个栅介电层分别于这些有源区之上；与该第一绝缘间隙壁形成后，形成多个形成若干个栅极分别于这些有源区的部分区域上；以及形成若干个源极/漏极分别于这些栅极两侧的这些有源区内。