| 发明名称 | 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶衬底置于低压—金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作为氧源，高纯氩气作为锌源饱和蒸汽的载气和稀释气体，ZnO薄膜的生长条件如下：二乙基锌起泡器的条件维持在760托，14℃，锌源流量：15～25sccm，O<SUB>2</SUB>气流量：100～150sccm，Ar气流量：80～120sccm，O和Zn的摩尔比为80～200，真空室反应气压：80～120Pa，生长温度为400～750℃，生长时间为20～60分钟。本发明可以生长高质量的非极性ZnO薄膜，具有很好的产业应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN101082124A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710040427.4 | 申请日期 | 2007.05.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01);C23C16/448(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ-LiAlO2单晶衬底置于低压-金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作为氧源，高纯氩气作为锌源饱和蒸汽的载气和稀释气体，ZnO薄膜的生长条件如下：二乙基锌起泡器的条件维持在760托，14℃，锌源流量：15～25sccm，O2气流量：100～150sccm，Ar气流量：80～120sccm，O和Zn的摩尔比为80～200，真空室反应气压：80～120Pa，生长温度为400～750℃，生长时间为20～60分钟。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||