| 发明名称 | 一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上反偏电压时，中间层上下界面形成的界面电荷提高了第二层介质的电场强度，同时，窗口的存在调制了漂移区电场，因而器件耐压大大提高。另一方面，窗口的存在提供了热传导的路径，使得该器件结构的自热效应主要取决于第二层介质的厚度，而第二层介质在不击穿的情况下可以较薄，所以本实用新型提出的器件结构能够缓解自热效应。基于本实用新型的SOI功率器件，不仅能够提高器件耐压，且因埋层较常规SOI器件更薄而缓解自热效应，特别适于制作高耐压的功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN200986920Y | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200620035997.5 | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 罗小蓉;张波;李肇基;杨寿国;詹瞻 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L29/74(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所 | 代理人 | 徐丰 |
| 主权项 | 1、一种具有窗口的双介质SOI耐压层结构，包括衬底层(1)、介质层(2、14)、有源半导体层(3)，其特征在于：介质层有第一介质层(2)和第二介质层(14)，第一介质层(2)与第二介质层(14)之间设有中间层(15)，第一介质层(2)另一侧与有源半导体层(3)相连，第二介质层(14)另一侧与衬底层(1)相连；所述第一层介质(2)层具有填充有中间层材料或有源层材料的窗口(A)。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路2号 | ||