| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括：沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括：连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101083285A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710108821.7 | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 今出昌宏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王玮 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括：沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括：连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||