| 发明名称 | 有机发光显示器以及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种有机发光显示器，在该有机发光显示器中，简化了形成存储电容器的工艺，防止了TFT的性能和可靠性的劣化。有机发光显示器包括：基底；薄膜晶体管，形成在基底的一部分上，该薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于有源层和栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在基底的另一部分上。该存储电容器具有形成在与形成有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的栅极绝缘层。有源层和第一电极由本征多晶硅层制成。 | ||
| 申请公布号 | CN101083261A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710001984.5 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 黄义勋;崔雄植 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;常桂珍 |
| 主权项 | 1、一种有机发光显示器，包括：基底；薄膜晶体管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存储电容器具有形成在与形成所述有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成所述栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的栅极绝缘层；其中，所述有源层和所述第一电极由本征多晶硅层制成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||