| 发明名称 | 非易失性铁电存储器设备的制备方法和由此获得的存储器设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括晶体管(22)和电容器(23)的非易失性铁电存储器设备(30)，尤其是非易失性可电清除的可编程的铁电存储元件，和所述非易失性铁电存储器设备(30)的制备方法。由于所述晶体管(22)的栅极介电层和所述电容器(23)的介电层由相同的有机或无机铁电层(14)制得，因此根据本发明的所述方法包括有限数量的掩模步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101084580A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200480038535.2 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 阿尔贝特·W·马尔斯曼;达戈贝尔特·M·德里兀;格温·H·格林克 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1、一种可用于非易失性存储器目的或闭锁电路的设备(30)，所述设备包括：-选择设备(22)，其具有控制电极(13)和使所述控制电极与所述选择设备的剩余部分绝缘的第一介电层，和-存储设备(23)，其包括第二介电层，其中选择设备(22)的第一介电层和存储设备(23)的第二介电层是同一个铁电层(14)的分别的部分。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||