发明名称 Formation Of raised source/drain structures in NFET with embedded SiGe in PFET
摘要
申请公布号 KR100781541(B1) 申请公布日期 2007.12.03
申请号 KR20060066004 申请日期 2006.07.13
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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