具L型间隙壁之半导体元件及其制造方法SEMICONDUCTOR DEVICE WITH L-SHAPE SPACER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

一种具L型间隙壁之半导体元件及其制造方法，该半导体元件包含一基底、一间隙壁复合层、一通道绝缘层。其中，基底具有一浅沟渠隔离结构以及一元件工作区，浅沟渠隔离结构与该元件工作区相邻均位于该基底上。间隙壁复合层，位于该浅沟渠隔离结构之侧壁，该间隙壁复合层更包含一第一绝缘层以及一L型第二绝缘层间隙壁，该第一绝缘层系位于该L型第二绝缘层间隙壁与该基底之间。该通道绝缘层系位于该元件工作区之该基底上，且其相对端分别与该间隙壁复合层之该第一绝缘层相接合。