发明名称 光电装置、电子机器
摘要 课题:本发明系提供一种光电装置,其可维持密封性,同时提高将光取出至外部之效率,并可达成高辨识性。解决方法:有机电激发光显示装置1系具备可透过光之基板2、及有机电激发光元件9,该有机电激发光元件9系具有夹置于一对电极7、8间之发光层5及空穴输送层6。而于基板2与有机电激发光元件9内之电极8间,系层合有低折射率层3与密封层4,该低折射率层3之折射率系低于基板2,而密封层4系用以隔绝大气由基板2侧渗入有机电激发光元件9内。
申请公布号 TWI290805 申请公布日期 2007.12.01
申请号 TW091125391 申请日期 2002.10.25
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 宫泽贵士
分类号 H05B33/00(2006.01) 主分类号 H05B33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种光电装置,其为具有发光元件之光电装置,其 系由具备被配置于取出该发光元件所发出光之方 向上的低折射率层;基板;及封装层所成,配置该低 折射率层及该基板,使该发光元件所发出的光经由 该低折射率层入射至该基板,同时,该低折射率层 之折射率低于该基板的折射率。 2.一种光电装置,其为如申请专利范围第1项之光电 装置,其特征在于该密封层系配置于取出该发光元 件所发出光之方向上。 3.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该密 封层系抑制气体之透过。 4.如申请专利范围第1项之光电装置,其中该低折射 率层为多孔物。 5.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层系包含至少1种选自气溶胶、多孔矽氧、 及氟化镁、聚合物之材料。 6.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层系包含无机微粒及有机微粒中之至少一 种的材料。 7.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层系包含分散有氟化镁微粒之凝胶。 8.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层系包含氟系聚合物。 9.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层系包含多孔性聚合物。 10.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该低 折射率层之折射率系设定为1.5以下。 11.一种光电装置,其为如申请专利范围第1或2项之 光电装置,其特征为于基板上配置通电控制部分, 其系控制该发光元件之通电。 12.一种光电装置,其为如申请专利范围第11项之光 电装置,其特征在于系自该基板侧取出该发光元件 所发出之光。 13.一种光电装置,其为如申请专利范围第11项之光 电装置,其特征在于系自该发光元件之与该基板侧 相反之侧,取出该发光元件所发出之光。 14.一种光电装置,其为具备发光元件之光电装置, 其特征为于取出该发光元件所发出光之方向上,系 配置分散有乾燥剂及吸附剂中之至少其一之低折 射率层。 15.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该发 光元件为有机电发光元件。 16.一种电子机器,其特征系具备如申请专利范围第 1至15项中任一项之光电装置。 图式简单说明: 图1为图示本发明光电装置之第1实施型态之概略 构成图。 图2为图示本发明膜状构件之截面图。 图3为图示本发明光电装置之第2实施型态之概略 构成图。 图4为图示主动矩阵型有机电激发光显示装置之电 路图。 图5为图示图4之显示装置中像素部分平面结构之 扩大图。 图6为图示本发明光电装置之第3实施型态之图,为 图5之A-A箭头视之所得截面图。 图7为图示本发明光电装置之第4实施型态之截面 图。 图8为图示本发明光电装置之第5实施型态之截面 图。 图9为图示本发明光电装置之第6实施型态之截面 图。 图10为图示本发明光电装置之第7实施型态之截面 图。 图11为关于本发明光电装置之第7实施型态之其他 例示。 图12为图示根据本发明光电装置之第8实施型态之 动矩阵型有机电激发光显示装置之图,(a)为平面图 ,(b)为(a)之B-B截面图。 图13为图示具备本发明光电装置之一电子机器例 示之图。 图14为图示具备本发明光电装置之一电子机器例 示之图。 图15为图示具备本发明光电装置之一电子机器例 示之图。 图16为图示以往光电装置之一例示之概略构成图 。 图17为源自发光层之光藉由基板折射之情况说明 图。
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