发明名称 Chemisch-mechanisches Polierkissen
摘要 Das Polierkissen ist zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet. Das Polierkissen umfasst eine polymere Matrix, die eine obere Polieroberfläche aufweist, und die obere Polieroberfläche weist polymere Poliervorwölbungen auf oder bildet bei einer Konditionierung mit einem Schleifmittel polymere Poliervorwölbungen. Die polymeren Poliervorwölbungen erstrecken sich von der polymeren Matrix und stellen den Abschnitt der oberen Polieroberfläche dar, der ein Substrat während des Polierens kontaktieren kann. Die polymeren Poliervorwölbungen sind aus einem polymeren Material mit einer maximalen Zugfestigkeit der Materialmasse von mindestens 6500 psi (44,8 MPa) und einer Reißfestigkeit der Materialmasse von mindestens 250 Pfund/Zoll (4,5 x 10<SUP>3</SUP> g/mm) ausgebildet.
申请公布号 DE102007024460(A1) 申请公布日期 2007.11.29
申请号 DE200710024460 申请日期 2007.05.25
申请人 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS INC. 发明人 KULP, MARY JO
分类号 B24D13/00;H01L21/304 主分类号 B24D13/00
代理机构 代理人
主权项
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