| 摘要 |
Eine Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines Substrats (22) nach dem Ionen-Sputter-Verfahren weist eine Vakuumkammer (10) auf, in der das zu beschichtende Substrat (22) angeordnet ist. Ferner ist in der Vakuumkammer (10) ein Halteelement (32) angeordnet, das Beschichtungselemente (16) trägt. Mit Hilfe einer Ionenquelle (12) wird ein Ionenstrahl (14) erzeugt, der auf das Beschichtungselement (16) trifft und somit durch Sputtern einen Beschichtungsmaterial-Strahl (18) erzeugt. Das Beschichtungsmaterial (18) lagert sich auf der Oberfläche des Substrats (22) ab. Zur Erzeugung unterschiedlicher Beschichtungsmaterialien durch Sputtern sind erfindungsgemäß mindestens zwei Beschichtungselemente (16) vorgesehen, die gemeinsam von dem Halteelement getragen werden. Das Halteelement (32) ist zum Anordnen jeweils eines der Beschichtungselemente (16) im Ionenstrahl (14) schwenkbar.
|
