发明名称 振荡器、通讯装置
摘要 本振荡器系具备:将交叉连接的第1及第2电晶体连接至共振电路的第1振荡电路、将交叉连接的第3及第4电晶体连接至共振电路的第2振荡电路,上记第1电晶体的集极端子与第4电晶体基极端子之间串联有连结用电容及连结用电阻,上记第2电晶体的集极端子与第3电晶体基极端子之间串联有连结用电容及连结用电阻,上记第3电晶体的集极端子与第1电晶体基极端子之间串联有连结用电容及连结用电阻,上记第4电晶体的集极端子与第2电晶体基极端子之间串联有连结用电容及连结用电阻。藉此,可实现杂讯的抑制及低消费电力化。
申请公布号 TWI290416 申请公布日期 2007.11.21
申请号 TW094136698 申请日期 2005.10.20
申请人 夏普股份有限公司 发明人 亚登 艾伯特
分类号 H03B5/12(2006.01) 主分类号 H03B5/12(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种振荡器,系属于具备第1及第2振荡电路之振 荡器,该第1及第2振荡电路系分别具有共振电路和 复数之电晶体,其特征为, 上记第1振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接 且各第2导通端子是连接着上记共振电路的第1及 第2电晶体,上记第1电晶体的第2导通端子与第2电 晶体的控制端子系为直接或隔着电容而连接,同时 ,第1电晶体的控制端子与第2电晶体的第2导通端子 系为直接或隔着电容而连接; 上记第2振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接 且各第2导通端子是连接着上记共振电路的第3及 第4电晶体,上记第3电晶体的第2导通端子与第4电 晶体的控制端子系为直接或隔着电容而连接,同时 ,第3电晶体的控制端子与第4电晶体的第2导通端子 系为直接或隔着电容而连接; 上记第1电晶体的第2导通端子,和第4电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第2电晶体的第2导通端子,和第3电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第3电晶体的第2导通端子,和第1电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第4电晶体的第2导通端子,和第2电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻。 2.一种振荡器,系属于具备第1及第2振荡电路之振 荡器,该第1及第2振荡电路系分别具有共振电路和 复数之电晶体,其特征为, 第1振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接且第2 导通端子为彼此连接的第1及第2MOS电晶体以及第1 导通端子为彼此连接且第2导通端子为彼此连接的 第3及第4MOS电晶体,上记第2及第3MOS电晶体的第1导 通端子为彼此连接且上记第2及第3MOS电晶体的各 第2导通端子系连接着共振电路,且,第2电晶体的第 2导通端子与第3电晶体的控制端子为连接且第2电 晶体的控制端子与第3电晶体的第2导通端子为连 接; 第2振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接且第2 导通端子为彼此连接的第5及第6MOS电晶体以及第1 导通端子为彼此连接且第2导通端子为彼此连接的 第7及第8MOS电晶体,上记第6及第7MOS电晶体的第1导 通端子为彼此连接且上记第6及第7MOS电晶体的各 第2导通端子系连接着共振电路,且,第6电晶体的第 2导通端子与第7电晶体的控制端子为连接且第6电 晶体的控制端子与第7电晶体的第2导通端子为连 接; 上记第5及第6MOS电晶体的第2导通端子,和第1MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第7及第8MOS电晶体的第2导通端子,和第4MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第3及第4MOS电晶体的第2导通端子,和第5MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第1及第2MOS电晶体的第2导通端子,和第8MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻。 3.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记连结用电阻中包含可变电阻。 4.如申请专利范围第2项所记载之振荡器,其中,上 记连结用电阻中包含可变电阻。 5.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记连结用电容中包含可变电容。 6.如申请专利范围第2项所记载之振荡器,其中,上 记连结用电容中包含可变电容。 7.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记共振电路,系为含有可变电容的LC共振电路。 8.如申请专利范围第2项所记载之振荡器,其中,上 记共振电路,系为含有可变电容的LC共振电路。 9.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记第1及第2电晶体以及第3及第4电晶体的各电晶体 对当中,第1导通端子彼此系连接着定电流源。 10.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记各电晶体系为NPN型电晶体,上记第1及第2导通端 子系分别为射极端子及集极端子,上记控制端子系 为基极端子。 11.如申请专利范围第1项所记载之振荡器,其中,上 记各电晶体系为N通道MOS电晶体,上记第1及第2导通 端子系分别为源极端子及汲极端子,上记控制端子 系为闸极端子。 12.一种通讯装置,系属于具备振荡器的通讯装置, 其特征为, 该振荡器,系具备第1及第2振荡电路之振荡器,该第 1及第2振荡电路系分别具有共振电路和复数之电 晶体; 上记第1振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接 且各第2导通端子是连接着上记共振电路的第1及 第2电晶体,上记第1电晶体的第2导通端子与第2电 晶体的控制端子系为直接或隔着电容而连接,同时 ,第1电晶体的控制端子与第2电晶体的第2导通端子 系为直接或隔着电容而连接; 上记第2振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接 且各第2导通端子是连接着上记共振电路的第3及 第4电晶体,上记第3电晶体的第2导通端子与第4电 晶体的控制端子系为直接或隔着电容而连接,同时 ,第3电晶体的控制端子与第4电晶体的第2导通端子 系为直接或隔着电容而连接; 上记第1电晶体的第2导通端子,和第4电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第2电晶体的第2导通端子,和第3电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第3电晶体的第2导通端子,和第1电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻; 上记第4电晶体的第2导通端子,和第2电晶体的控制 端子之间,串联着连结用电容及连结用电阻。 13.一种通讯装置,系属于具备振荡器的通讯装置, 其特征为, 该振荡器,系具备第1及第2振荡电路之振荡器,该第 1及第2振荡电路系分别具有共振电路和复数之电 晶体; 第1振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接且第2 导通端子为彼此连接的第1及第2MOS电晶体以及第1 导通端子为彼此连接且第2导通端子为彼此连接的 第3及第4MOS电晶体,上记第2及第3MOS电晶体的第1导 通端子为彼此连接且上记第2及第3MOS电晶体的各 第2导通端子系连接着共振电路,且,第2电晶体的第 2导通端子与第3电晶体的控制端子为连接且第2电 晶体的控制端子与第3电晶体的第2导通端子为连 接; 第2振荡电路中,设有第1导通端子为彼此连接且第2 导通端子为彼此连接的第5及第6MOS电晶体以及第1 导通端子为彼此连接且第2导通端子为彼此连接的 第7及第8MOS电晶体,上记第6及第7MOS电晶体的第1导 通端子为彼此连接且上记第6及第7MOS电晶体的各 第2导通端子系连接着共振电路,且,第6电晶体的第 2导通端子与第7电晶体的控制端子为连接且第6电 晶体的控制端子与第7电晶体的第2导通端子为连 接; 上记第5及第6MOS电晶体的第2导通端子,和第1MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第7及第8MOS电晶体的第2导通端子,和第4MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第3及第4MOS电晶体的第2导通端子,和第5MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻; 上记第1及第2MOS电晶体的第2导通端子,和第8MOS电 晶体的控制端子之间,串联着连结用电容及连结用 电阻。 图式简单说明: 图1系本发明之实施之一形态所论之振荡器之构成 的电路图。 图2系本发明之实施之其他形态所论之振荡器之构 成的电路图。 图3系本发明之实施之其他形态所论之振荡器之构 成的电路图。 图4系使用本振荡器之通讯装置的一般构成之电路 图。 图5系使用本振荡器之通讯装置(直接转换方式)的 构成之电路图。 图6系使用本振荡器之通讯装置(双重转换方式)的 构成之电路图。 图7(a).(b)系本振荡器所振荡出之4相讯号的图形。 图8系本振荡器的振荡频率及讯号振幅的连结阻抗 依存性的图形。 图9(a)(b)系表示先前之振荡器构成的说明图。 图10系表示先前之振荡器构成的电路图。 图11系表示先前之振荡器构成的电路图。 图12系表示先前之振荡器构成的电路图。 图13系表示先前之振荡器构成的电路图。 图14(a)~(d)系表示先前之振荡器构成的电路图。 图15系表示先前之振荡器构成的电路图。
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