| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种应变HOT MOSFET制造方法。该MOSFET制造方法包括提供半导体结构，该半导体结构包括：(a)具有第一结晶取向的第一半导体层，(b)在第一半导体层的顶上的埋置绝缘层，(c)在埋置氧化层的顶上的第二半导体层。第二半导体层具有与第一结晶取向不同的第二结晶取向。该方法还包括在具有第一结晶取向的第一半导体层的顶上形成第三半导体层。该方法还包括在第三半导体层的顶上形成第四半导体层。第四半导体层(a)包括与第三半导体层的材料不同的材料，并且(b)具有第一结晶取向。 | ||
| 申请公布号 | CN101075585A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710102224.3 | 申请日期 | 2007.04.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;朱慧珑;李佑炯 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：(a)第一半导体层，具有第一结晶取向，(b)埋置绝缘层，在所述第一半导体层的顶上，(c)第二半导体层，在所述埋置氧化层的顶上，其中所述第二半导体层具有第二结晶取向，并且其中所述第二结晶取向与所述第一结晶取向不同；在所述第一半导体层的顶上形成第三半导体层，其中所述第三半导体层具有所述第一结晶取向；和在所述第三半导体层的顶上形成第四半导体层，其中所述第四半导体层包括与所述第三半导体层的材料不同的材料，并且其中所述第四半导体层具有所述第一结晶取向。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||