| 发明名称 | 具有低电流消耗特性的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种具有低电流消耗特性的半导体存储装置，包括：DRAM存储核心电路，该存储核心电路包含字线；电源电路，被配置为第一状态和第二状态中择一的状态下运行，以生成预定的电源电压并提供给DRAM存储核心电路，所述电源电路在第一状态下消耗的电流大于在第二状态下消耗的电流；以及控制电路，设置该控制电路以控制所述电源电路，使得所述电源电路在字线激活到字线解除激活期间，从第一状态切换到第二状态，随后再返回第一状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101075479A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710103314.4 | 申请日期 | 2007.05.18 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 奥山好明;竹内淳;川久保智广 |
| 分类号 | G11C11/4074(2006.01);G11C11/409(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4074(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：DRAM存储核心电路，其包含字线；电源电路，被配置为在第一状态和第二状态中择一的状态下运行，以生成预定的电源电压并提供给所述DRAM存储核心电路，所述电源电路在所述第一状态下消耗的电流大于在所述第二状态下消耗的电流；以及控制电路，设置该控制电路以控制所述电源电路，使得所述电源电路在字线激活到字线解除激活期间从所述第一状态切换到所述第二状态，随后再返回所述第一状态。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||