| 发明名称 | 氮化物基半导体发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n－型氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n－型氮化物半导体层的预定区域上；p－型氮化物半导体层，形成在活性层上；p－电极，形成在p－型氮化物半导体层上，该p－电极具有p－型分支电极；p－型ESD衬垫，形成在p－型分支电极的端部处，该p－型ESD衬垫具有大于p－型分支电极的端部的宽度；n－电极，形成在其上未形成活性层的n－型氮化物半导体层上，该n－电极具有n－型分支电极；以及n－型ESD衬垫，形成在n－型分支电极的端部处，该n－型ESD衬垫具有大于n－型分支电极的端部的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101075656A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200710097452.6 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 高健维;吴邦元;黄硕珉;金制远;朴亨镇;金东佑 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n-型氮化物半导体层，形成在所述衬底上；活性层，形成在所述n-型氮化物半导体层的预定区域上；p-型氮化物半导体层，形成在所述活性层上；p-电极，形成在所述p-型氮化物半导体层上，所述p-电极具有p-型分支电极；p-型ESD衬垫，形成在所述p-型分支电极的端部处，所述p-型ESD衬垫具有大于所述p-型分支电极的所述端部的宽度；n-电极，形成在其上未形成所述活性层的所述n-型氮化物半导体层上，所述n-电极具有n-型分支电极；以及n-型ESD衬垫，形成在所述n-型分支电极的端部处，所述n-型ESD衬垫具有大于所述n-型分支电极的所述端部的宽度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||