碳化硅晶体的生长系统

摘要

公开了在基底上生长碳化硅晶体的系统，该系统包括沿着轴延伸的腔室(1)，其中该腔室(1)具有独立的用于含碳气体和含硅气体的输入设备(2，3)，设置在腔室的第一终端区域(Z1)内的基底支撑设备(4)，设置在支撑设备(4)附近的废气输出设备(5)，和适于加热该腔室(1)至高于1800℃的温度的加热设备，对含硅气体的输入设备(2)进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使含硅气体进入腔室的第二终端区域(Z2)内，对含碳气体的输入设备(3)进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使碳和硅基本上在同时远离第一终端区域(Z1)和第二终端区域(Z2)的腔室的中心区域(ZC)内接触。

主权项

1.用于在基底上生长碳化硅晶体的系统，该系统包括沿着轴延伸的腔室，其中该腔室具有：-独立的用于含碳气体和含硅气体的输入设备，-设置在腔室的第一终端区域内的基底支撑设备，-设置在支撑设备附近的废气输出设备，-适于加热该腔室至高于1800℃的温度的加热设备，其中对含硅气体的输入设备进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使含硅气体进入腔室的第二终端区域，其中对含碳气体的输入设备进行设置并确定其形状和尺寸，其方式使碳和硅在同时远离第一终端区域和第二终端区域的腔室的中心区域内接触，其特征在于，其中在所述含硅气体的输入设备内设置硅的蒸发池。