半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构，其包括第一场效应晶体管(“FET”)，第一FET具有第一沟道区域、第一源极区域、第一漏极区域以及覆于第一沟道区域上方的第一栅极导体。其中包含的第二FET具有第二沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域以及覆于第二沟道区域上方的第二栅极导体。第一和第二栅极导体是在第一和第二沟道区域上方延伸的单一细长导电部件的一部分。第一应力薄膜覆于第一FET上方，第一应力薄膜向第一沟道区域施加具有第一数值的应力。第二应力薄膜覆于第二FET上方，第二应力薄膜向第二沟道区域施加具有第二数值的应力。第二数值基本上不同于第一数值。此外，第一和第二应力薄膜在公共边界处相互邻接并在该公共边界处存在基本共面的主表面。

主权项

1.一种半导体器件结构，包括：第一场效应晶体管(“FET”)，其具有第一沟道区域、第一源极区域、第一漏极区域以及覆于所述第一沟道区域上方的第一栅极导体；第二FET，其具有第二沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域以及覆于所述第二沟道区域上方的第二栅极导体，所述第一栅极导体和所述第二栅极导体是在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上方延伸的单一细长导电部件的一部分；第一应力薄膜，其覆于所述第一FET上方，所述第一应力薄膜向所述第一沟道区域施加具有第一数值的应力；以及第二应力薄膜，其覆于所述第二FET上方，所述第二应力薄膜向所述第二沟道区域施加具有第二数值的应力，所述第二数值基本上不同于所述第一数值，其中，所述第一应力薄膜和第二应力薄膜在公共边界处相互邻接并在所述公共边界处存在基本共面的主表面。