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经营范围
发明名称
Manufacturing Schottky-Barrier MOSFETs with low barrier height and manufacturing method thereof
摘要
申请公布号
KR100777101(B1)
申请公布日期
2007.11.19
申请号
KR20060074492
申请日期
2006.08.08
申请人
发明人
分类号
H01L21/335;H01L29/872
主分类号
H01L21/335
代理机构
代理人
主权项
地址
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