| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置的制作方法、内连线结构及其制作方法。在上述内连线结构的制作方法中，包括制作具有改良之阻障层，其中阻障层设置于内连线的导电材料与形成之内连线凹槽的介电层之间。形成一介电层于具有至少一接触区域的基底上方。藉由形成一内连线凹槽，接着，沈积氮化钽的第一阻障层，且以再溅射步骤处理此第一阻障层的操作，制作用来供应给接触区域的一内连线。之后，沈积及再溅射钽薄膜的第二阻障层。接下，形成一晶种层，接着使用导电材料填充内连线凹槽。平坦化基底表面，使得进行更进一步的制作以完成半导体的制程。 |
