| 发明名称 |
半导体结构的形成方法,形成半导体结构的光罩组合的形成方法,电阻 |
| 摘要 |
本发明提供一种去耦合浅掺杂源/汲极区和袋状布植区的形成方法。上述方法包括：提供一半导体晶片，其包含复数个主动区。于上述主动区中形成复数个闸极结构。利用一N-浅掺杂源/汲极光罩，形成复数个N-浅掺杂源/汲极区于上述半导体晶片上。利用一N-袋状布植光罩，形成复数个N-袋状布植区于上述半导体晶片上。利用一P-浅掺杂源/汲极光罩，形成复数个P-浅掺杂源/汲极区于上述半导体晶片上；以及利用一P-袋状布植光罩，形成复数个P-袋状布植区于上述半导体晶片上。 |
| 申请公布号 |
TW200743161 |
申请公布日期 |
2007.11.16 |
| 申请号 |
TW095137340 |
申请日期 |
2006.10.11 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
俞正明;赵治平;张智胜;陈俊宏 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/266(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
