发明名称 | 在高速低耗能记忆体中用以防止杂讯干扰之方法及系统 | ||
摘要 | 一种记忆元件其包括一记忆细胞以及具有一感测区间之一感测放大器。一输出电路其系耦接至此感测放大器并回应一时脉信号以自此感测放大器接受此信号。一时序信号之第一来源其回应与此时脉信号不同步之致能信号、而产生一第一时序信号。一时序信号之第二来源其根据此时脉信号而产生一第二时序信号。一开关其选择第一与第二时序信号之一者做为所使用之时序信号,以界定感测放大器之预充电与感测区间。此时序信号之第一来源系在对应一时脉延迟的一区间中被选择,使得此时序信号定义一感测区间,而时脉信号的转换系在此感测区间之外。 | ||
申请公布号 | TW200743115 | 申请公布日期 | 2007.11.16 |
申请号 | TW095116994 | 申请日期 | 2006.05.12 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈弟文;施义德;廖培勋;刘鹤轩 |
分类号 | G11C7/06(2006.01);G11C7/22(2006.01) | 主分类号 | G11C7/06(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |