利用点状镍掺杂铟锡氧化物(ITO)阳极形成选择性有机发光二极体(OLED)发光的结构及其方法

摘要

一种利用点状镍掺杂铟锡氧化物(ITO)阳极形成选择性有机发光二极体(OLED)发光的结构及其方法，该方法包括有：提供一ITO基板，其有一阳极表面，其上形成有点状槽；沉积Ni膜；及以一研磨法将该Ni膜回磨至前述之点状槽，致该点状槽外的Ni膜全被去除，留下Ni膜于点状槽内，形成点状Ni嵌入ITO膜；藉此，OLED元件被点亮时，其周遭纯ITO阳极上之OLED元件尚未被点亮，此即所谓选择性OLED发光效果。又，因点状Ni嵌入ITO阳极有较低的电性阻抗，故电流集中于此电极内，而可衍生出降低传统被动式OLED面板电路上交互干扰(cross-talk)的问题。