发明名称 | 积体电路和制作记忆细胞的方法 | ||
摘要 | 一种积体电路结构设置于基底上,此积体电路包含逻辑区,以及记忆细胞区。此记忆细胞区包含储存电荷区和非储存电荷区,而在储存电荷区的基底上具有一绝缘层,而绝缘层上方则具有一闸流晶体,而非储存电荷区则具有一电晶体位于基底上。 | ||
申请公布号 | TW200743155 | 申请公布日期 | 2007.11.16 |
申请号 | TW095116282 | 申请日期 | 2006.05.08 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郭建利 |
分类号 | H01L21/332(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/332(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |