发明名称 积体电路和制作记忆细胞的方法
摘要 一种积体电路结构设置于基底上,此积体电路包含逻辑区,以及记忆细胞区。此记忆细胞区包含储存电荷区和非储存电荷区,而在储存电荷区的基底上具有一绝缘层,而绝缘层上方则具有一闸流晶体,而非储存电荷区则具有一电晶体位于基底上。
申请公布号 TW200743155 申请公布日期 2007.11.16
申请号 TW095116282 申请日期 2006.05.08
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 郭建利
分类号 H01L21/332(2006.01);H01L21/8239(2006.01) 主分类号 H01L21/332(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号