| 发明名称 |
Verwendung eines lösungsprozessierbaren Materials als aktive halbleitende Schicht in einem n-Typ-Transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102005034414(B4) |
申请公布日期 |
2007.11.15 |
| 申请号 |
DE200510034414 |
申请日期 |
2005.07.22 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
BRABEC, CHRISTOPH;WALDAUF, CHRISTOPH |
| 分类号 |
H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
主分类号 |
H01L51/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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