Separater Leseverstärker-Vorladeknoten in einem Halbleiterspeicherbauelement

摘要

Es werden ein Verfahren und ein Speicherbauelement bereitgestellt, bei dem Leseknoten eines Leserverstärkers in einem Halbleiterspeicher intern unabhängig von Ausgleichs- und Vorladeoperationen an mit dem Speicherarray assoziierten Bitleitungen vorgeladen werden.