| 发明名称 | 退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101071757A | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN200710097035.1 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);B23K26/04(2006.01);B23K26/06(2006.01);B23K26/067(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新;杨谦 |
| 主权项 | 1、一种退火方法，其特征在于，具有以下工序：预先设定有关激光强度及其分布的预定目标的工序、在激光光源和照射场之间准备光束截面调制部，而且，在上述照射场内准备基片和光束截面测量部并使其可更换的工序、在上述照射场内布置上述光束截面测量部、从上述光源射出激光、利用上述光束截面调制部调制上述激光的强度及其分布、并利用上述光束截面测量部来测量上述照射场的入射面内的激光强度及其分布的工序、根据上述测量结果来调整上述光束截面调制部的参数，使上述测量结果与上述设定目标相一致的工序、把上述基片布置在上述照射场内，使该基片的入射面位于上述照射场的入射面内，并对上述基片和上述光束截面调制部进行定位的工序、以及当上述测量结果达到与上述设定目标相一致时，把经过上述光束截面调制部进行了调制的激光照射到上述基片上的工序，通过反复进行上述定位工序和上述激光照射工序，在同一基片内分别制作具有2种以上的平均晶粒直径的半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||