| 发明名称 | 处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO<SUB>2</SUB>膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100349268C | 申请公布日期 | 2007.11.14 |
| 申请号 | CN02819042.4 | 申请日期 | 2002.09.06 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 户田昭仁;小川和人 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种处理方法，它在真空处理容器内产生处理气体的等离子体，以除去形成在被处理体表面上的有机膜层，其特征在于，具有在100mTorr以下的压力下，将所述有机膜层的过剩处理率设定在15％以下，除去所述有机膜层的工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||