发明名称 |
电子器件用基板及其制造方法、化合物及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供离子通透良好的电子器件用基板及其制造方法、它们中使用的化合物、化合物的制造方法以及含有电子器件用基板中使用的化合物的聚合引发剂。本发明的特征在于,提供用下述通式(1)(式中,X表示氢原子或保护基,Y<SUP>1</SUP>表示氧原子、亚烃基或-N(R<SUP>1</SUP>)-(R<SUP>1</SUP>表示烷基。),Z<SUP>1</SUP>表示聚合引发基团,n<SUP>1</SUP>表示1~4,m<SUP>1</SUP>表示1~15。)表示的化合物及其制造方法,以及在表面(21)上具有含有金属及/或金属氧化物的基板(2)和含有用上述通式(1)表示的化合物的基底层(3)的电子器件用基板(1)及其制造方法。 |
申请公布号 |
CN101071118A |
申请公布日期 |
2007.11.14 |
申请号 |
CN200710101919.X |
申请日期 |
2007.04.27 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
福岛均;横川忍 |
分类号 |
G01N27/327(2006.01);G01N27/28(2006.01);H01L31/04(2006.01);H05K1/03(2006.01) |
主分类号 |
G01N27/327(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
1.一种电子器件用基板,其特征在于,在表面上,具有含有金属及/或金属氧化物的基板和含有用下述通式(1)【化1】<img file="A2007101019190002C1.GIF" wi="1127" he="239" />(式中,X表示氢原子或保护基,Y<sup>1</sup>表示氧原子、亚烃基或-N(R<sup>1</sup>)-(R<sup>1</sup>表示烷基),Z<sup>1</sup>表示聚合引发基团,n<sup>1</sup>表示1~4,m<sup>1</sup>表示1~15)表示的化合物的基底层。 |
地址 |
日本东京 |