金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有栅极结构，之后，移除部分基底，以于栅极结构两侧的基底中形成第一凹陷。接着，于第一凹陷中沉积源极与漏极延伸层，并于栅极结构两侧形成间隙壁。然后，移除部分源极与漏极延伸层及部分基底，以于间隙壁以外的源极与漏极延伸层及部分基底中形成第二凹陷。然后，于第二凹陷中沉积源极与漏极层。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：提供基底，该基底上已形成栅极结构；移除该栅极结构两侧的部分该基底，以形成第一凹陷；于该第一凹陷中沉积源极与漏极延伸层；于该栅极结构两侧形成间隙壁；移除该间隙壁以外的该源极与漏极延伸层及部分该基底，以形成第二凹陷；以及于该第二凹陷中沉积源极与漏极层。