| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,其包括: 一半导体发光元件,其发出第一波长; 至少两种磷光体,其吸收第一波长之光然后发出转 换波长的光; 密封树脂,于其中分散有至少两种磷光体且埋有该 半导体发光元件;以及 黏合树脂, 组合体,其中藉由该黏合树脂而组合至少两种磷光 体,该组合体系分散于该密封树脂中。 2.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该 黏合树脂系聚矽氧烷为底质的树脂。 3.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该 黏合树脂系丙烯酸系树脂。 4.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中 第一波长的至少一部分系在紫外线区域内, 该至少两种磷光体包括发出第二波长之蓝光的蓝 色磷光体、发出第三波长之绿光的绿色磷光体、 及发出第四波长之红光的红色磷光体。 5.如申请专利范围第4项之半导体发光装置,其中该 设备发出该蓝光、绿光与红光混合的白光。 6.如申请专利范围第4项之半导体发光装置,其中该 密封树脂系聚矽氧烷树脂。 7.一种半导体发光装置,其包括: 一半导体发光元件,其发出第一波长; 磷光体粒子,其吸收第一波长之光然后发出转换波 长的光; 密封树脂,于其中分散有磷光体粒子且埋有该半导 体发光元件;以及 黏合树脂, 组合体,其中藉由该黏合树脂组合磷光体粒子,该 组合体系分散于该密封树脂中。 8.如申请专利范围第7项之半导体发光装置,其中该 黏合树脂系聚矽氧烷为底质的树脂。 9.如申请专利范围第7项之半导体发光装置,其中该 黏合树脂系丙烯酸系树脂。 10.如申请专利范围第7项之半导体发光装置,其中 第一波长的至少一部分系在紫外线区域内, 该等磷光体粒子包括发出第二波长之蓝光的蓝色 磷光体粒子,发出第三波长之绿光的绿色磷光体粒 子,及发出第四波长之红光的红色磷光体粒子。 11.如申请专利范围第10项之半导体发光装置,其中 该设备发出该蓝光、绿光与红光混合的白光。 12.如申请专利范围第10项之半导体发光装置,其中 该密封树脂系聚矽氧烷树脂。 13.一种半导体发光装置,其包括: 一半导体发光元件,其发出第一波长; 至少两种磷光体,其吸收第一波长之光然后发出转 换波长的光;以及 密封树脂,于其中分散有至少两种磷光体,且埋有 该半导体发光元件; 该至少两种磷光体中至少一种磷光体的表面黏附 有细微粉末,且分散在该密封树脂中,其中该细微 粉末系由与至少两种磷光体不同之材料制成,而且 颗粒大小小于该等至少两种磷光体二者。 14.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中 该细微粉末系氧化矽。 15.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中 该细微粉末系氧化铝。 16.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中 该细微粉末的平均颗粒大小不小于0.01微米,且不 大于0.08微米。 17.如申请专利范围第13项之半导体发光装置,其中 第一波长的至少一部分系在紫外线区域内, 该至少两种磷光体包括发出第二波长之蓝光的蓝 色磷光体,发出第三波长之绿光的绿色磷光体,及 发出第四波长之红光的红色磷光体。 18.如申请专利范围第17项之半导体发光装置,其中 该细微粉末系黏附在该磷光体的表面。 19.如申请专利范围第17项之半导体发光装置,其中 该设备发出该蓝光、绿光与红光混合的白光。 20.如申请专利范围第17项之半导体发光装置,其中 该密封树脂系聚矽氧烷树脂。 图式简单说明: 图1系图示本发明第一体系之半导体发光装置的相 关部件结构示意断面图; 图2系图示本发明第一体系之半导体发光装置中分 散在透明树脂300中之组合磷光体的示意图; 图3系示意显示达成本发明人在本发明过程当中调 查的对照实例半导体发光装置的横剖面; 图4系以方块图显示之图表,该实验结果显示时间 消逝对于色调的影响; 图5系图示组装第一体系之半导体发光装置方法部 分的示意图; 图6系图示形成该组合磷光体方法的流程图; 图7系以放大形式显示以该组合方法形成组合磷光 体之SEM(扫描式电子显微镜)照片; 图8系图示因存有或不存有该组合方法所致之颗粒 大小分布变化的图表; 图9系图示该组合磷光体沉降在邻近该半导体发光 元件100处之示意图; 图10A系图示本发明第二体系之半导体发光装置相 关部分结构的示意横剖面; 图10B系该磷光体的放大示意横剖面;以及 图11系形成黏附粉末之磷光体的方法之流程图。 |
