RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY WITH CARRIER SUBSTRATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper mit Trägersubstrat und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen. Bei dem Verfahren wird eine strukturierte Verbindung einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem Trägersubstratwafer (1) hergestellt. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterschichtstapeln (200) mittels Schnitten (6) durch die Halbleiterschichtenfolge unterteilt und der Trägersubstratwafer (1) wird in eine Mehrzahl von Trägersubstraten (100) mit Schnitten (7) durch den Trägersubstratwafer (1) unterteilt. Dabei wird die strukturierte Verbindung derart ausgeführt, dass mindestens ein Halbleiterschichtstapel (200) mit genau einem zugehörigen Trägersubstrat (100) verbunden ist. Außerdem wird mindestens ein Schnitt (7) durch den Trägersubstratwafer von keinem der Schnitte (6) durch die Halbleiterschichtenfolge derart verlängert, dass sich ein geradliniger Schnitt durch den Trägersubstratwafer und die Halbleiterschichtenfolge ergibt.