| 发明名称 | 磁记录介质和磁记录设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。 | ||
| 申请公布号 | CN100347756C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN200510059290.8 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 前田知幸;喜喜津哲;及川壮一;岩崎刚之 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B5/738(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：衬底；形成在衬底上的大粒径底层；在该底层上的磁记录层；以及形成在该磁记录层上的保护层；其中，所述大粒径底层包括选自由Cu、Ni、Rh和Pt构成的组中的至少一种的晶粒，平均粒径dc为dc＞＝50nm，晶粒的(100)晶面取向平行于衬底表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||