| 发明名称 | 集成电路和测量方法以及测量结构的制备 | ||
| 摘要 | 一种用于测量集成电路(IC)结构(12)的方法，该方法通过测量该结构的印记(30)实现，一种用于制备用于上述测量的测试位置(26)的方法，以及由此形成的IC(10)。用于制备测试位置的方法包括从衬底上逐渐除去结构以暴露衬底的顶表面(32)中的结构的除去的底表面的印记(30)。然后可以使用原子力显微镜(AFM)(40)成像印记。图像(50)可以用于测量结构的底表面。 | ||
| 申请公布号 | CN100347842C | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
| 申请号 | CN02830009.2 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | G·W·小班克;A·迪林;P·V·卡祖巴;L·莫什科维奇;J·罗伯特;J·A·斯林克曼 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L23/58(2006.01);G01M19/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种用于测量设置在衬底(16)上的集成电路结构(12)的底表面(34)的方法，包括以下步骤：(a)从所述衬底上除去所述结构，以在所述衬底的顶表面(32)中暴露印记(30)，其中所述印记对应于除去的所述结构的底表面(34)；以及(b)获得所述印记的图像(50)，以测量除去的所述结构的底表面。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||