薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠层结构的制造方法

摘要

本发明是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠层结构的制造方法。该薄膜晶体管阵列基板的制造方法，是首先在一基板上依序形成一第一图案化金属层、一介电层、一非晶硅层、一第二图案化金属层及一保护层。接着在保护层上形成一图案化光刻胶层，至少覆盖第一图案化金属层所构成的源极/漏极及其周边区域上方，图案化光刻胶层的部分边缘具有多个薄化区，每个薄化区分别横跨于一个源极/漏极的部分边缘上方。之后以图案化光刻胶层为掩膜进行蚀刻，以暴露薄化区下方的源极/漏极及其周边区域的非晶硅层而分别形成多个阶梯状结构。最后在基板上形成多个像素电极，分别覆盖一个阶梯状结构且电性连接至一个源极/漏极。

主权项

1、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基板上依序形成有一第一图案化金属层、一介电层、一非晶硅层、一第二图案化金属层及一保护层，其中该第一图案化金属层包括多数条扫描线及与前述的扫描线相连的多个栅极，该第二图案化金属层包括多数条数据配线及与前述的数据配线相连的多个源极/漏极；在该保护层上形成一图案化光刻胶层，该图案化光刻胶层至少覆盖于前述的源极/漏极及其周边区域上方，该图案化光刻胶层的部分边缘具有多个厚度较小的第一区，每一前述的第一区分别横跨于前述的源极/漏极其中之一的部分边缘上方；以该图案化光刻胶层为掩膜，移除该图案化光刻胶层未覆盖的该保护层、该非晶硅层与该介电层，并移除前述的第一区下方的该保护层，以形成对应于前述的第一区的多个阶梯状结构；以及在该基板上形成多个像素电极，每一前述的像素电极分别至少覆盖前述的阶梯状结构其中之一，且分别电性连接至前述的源极/漏极其中之一。