发明名称 | 一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法及装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法及装置,其工艺方法:将出炉工业硅,立即倒入内衬碳素坩锅内,锅内底部用氧气和空气从细铜管中吹向硅溶液,硅溶液的上部通入氯气与空气的混合气体,精炼结束后,保持底部空气吹入,同时,通过循环水进行冷却令硅在精炼锅内凝结成锭,将硅锭连同碳素坩锅一同倒出;实现该工艺之装置:所用装置采用于坩锅内衬覆碳素材料、外壁采用双夹层铁壁,坩锅底部留有通氧、通空气管孔,上盖上留有通入氯气和空气混合气体之管孔。 | ||
申请公布号 | CN101066762A | 申请公布日期 | 2007.11.07 |
申请号 | CN200710055512.8 | 申请日期 | 2007.04.12 |
申请人 | 宋德忠 | 发明人 | 宋德忠 |
分类号 | C01B33/037(2006.01) | 主分类号 | C01B33/037(2006.01) |
代理机构 | 长春成铭专利商标代理有限公司 | 代理人 | 南小平 |
主权项 | 1、一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法,其特征在于:将出炉工业硅,立即倒入内衬炭素坩锅内,锅内底部用氧气和空气从细铜管中吹向硅溶液,硅溶液的上部通入氯气与空气的混合气体,氧气压力为0.4~0.5Mpa,消耗0.05~0.07T/T.Si(36~42m3),氯气压力为0.4~0.5Mpa,消耗0.04~0.06T/T.Si(35~40m3),压缩空气精炼时压力为0.1~0.2Mpa,保压时压力为0.3~0.5Mpa,保压时间为10~20min,通入氧气与氯气的时间为30~50分钟,内衬炭素坩锅外壁采用双夹层铁壁,精炼结束后,撤去氯气通气棒,保持底部空气吹入,同时,通过循环水进行冷却令硅在精炼锅内凝结,历时4~5小时后,彻底冷却成锭,将硅锭连同炭素坩锅一同倒出,在铺有钢板的洁净地面上将坩锅敲碎,坩锅内壁与硅锭并不粘连,将硅块底部切除,剩余部分即可包装入库。 | ||
地址 | 136200吉林省辽源市新兴街兴庆路2号金龙硅厂 |