静电放电NMOS器件及其形成方法，以及电子系统

摘要

一种ESD NMOS结构具有奇数个建立在一个P型阱(6)中的N型结构(4a-4g)。嵌入的N型结构(NBL)被置于该N型结构之间。的N型结构和每个交替的N型结构被相互电连接，到该嵌入的N型结构，并且连接到输出接头(14)；而其他N型结构被相互电连接并且连接到该P阱和“地”(10)。当出现一个正向ESD事件时，在该N型嵌入结构和该N型结构之间的P阱中创建一个耗尽区，从而增加该结构的电阻率。另外，当出现正向ESD事件时，在该N型结构的两侧的支路NPN晶体管击穿并且快速恢复。结果电流通过增加电阻的区域，从而从该N型结构向着末端N型结构产生较大的电压。该增加的电阻率和较高的电压作用的组合降低该ESD结构的触发电压。

主权项

1.一种静电放电NMOS器件，其确定与要被保护的电路相接触的输出接头，该器件包括：P型阱，形成于该P型阱中的一系列N型结构，该系列N型结构被分成交替的第一组和交替的第二组，在该系列N型结构附近但与之不接触的N型嵌入结构，N型结构中交替的第一组彼此电连接，N型结构中交替的第二组彼此电连接，从该输出接头到N型结构中交替的第一组的第一电连接，以及从N型结构中的第二组到P型阱并且到一个“地”连接的第二电连接，其中进一步包括建立在该系列N型结构之上但与其电绝缘的栅极结构，该栅极结构基本上桥接每个相邻的N型结构之间的间隙，并且其中该栅极结构浮置。